中国需要几年能研制出媲美荷兰阿斯麦的EUV极紫外光刻机
难说啊！要知道ASML公司，在1991年就研制出了制程工艺包含90纳米的，步进投影式DUV光刻机。
而在2017年研制出了，制程工艺在7纳米的，第三代极紫外EUV光刻机。
也就是说，ASML公司用了26年，才从步进投影式DUV光刻机，突破到极紫外EUV光刻机。
而我国在2007年就研制出了制程工艺可达90纳米的步进投影式DUV光刻机，截止到目前为止，还没有见到国产浸没式DUV光刻机出现，那就更不要说，研发出极紫外EUV光刻机了。
即便按照ASML公司的发展历程，从理论上来看，那也需要到2033年才可以研制出极紫外EUV光刻机。
当然了，
至于究竟到哪年，才可以研制出自己的极紫外EUV光刻机，现在还很难说啊！只不过可以肯定的是，研制出极紫外EUV光刻机的时间要么早于2033年，要么晚于2033年。
究竟到哪年，还是让我们拭目以待吧！或许随着量子芯片，碳基芯片，光子芯片的发展，我国可以弯道超车，避开传统光刻机的发展模式，直接走到新兴芯片的生产制造上。
言归正传，在光刻机制造上，我国面临的问题与ASML是截然相反的。
要知道ASML是集合了美国，德国，日本，英国，欧洲等各发达国家的顶尖科技，才制造出的光刻机。
而我国只有靠自己，光刻机的任何一个部件，都要立足于国内来完成研发。
而且，国外还对我国进行严密的封锁，也签署了专门禁止对我国出口高科技技术的《瓦森纳协定》。
如此一来，最直接的结果就是:我国的高科技VS全球的高科技。
况且，这还是在我国与光刻机有关的高科技，不如国外发达国家的前提下进行的。
由此可见，极紫外EUV光刻机的研发，难度是地狱级别的。
可想而知，我国独立研制出极紫外EUV光刻机的难度系数有多高。
难度系数高归高，与做不做的到是两回事。
俗话说，世上无难事，只怕有心人。
我国向来拥有迎难而上的决心和毅力，相信研制出极紫外EUV光刻机只是时间问题而已。
毕竟在20年前，谁曾想到20年后的今天，我国的科技会发达到这个程度。
先后出现了:蛟龙号深潜器，奋斗者号载人深潜器，复兴号高速列车，天宫空间站，北斗导航系统，量子通讯卫星，量子芯片，特高压输电，歼20隐身战斗机，运20大型运输机，直20直升机，055型万吨驱逐舰，山东号航空母舰。
这一切，在20年前是根本就不敢想的，甚至在10多年前也是不敢想的。
但是，这一切，就真真切切的成为了现实。
所以说，没有可以难倒我国的技术，因为我国有着迎难而上的传统和决心。
相信，在极紫外EUV光刻机上，也会尽快研制出来的。
那么，我国现有的技术，与国际上的差距有多大呢。
ASML极紫外EUV光刻机使用的先进部件采用了波长为13.5纳米，功率为250W的激光等离子体光源。
有关于极紫外光源，一共发展了三代。
第一代：放电等离子体(DPP)；
第二代：激光辅助放电等离子体(LDP)；
第三代：激光等离子体(LPP)。
可见ASML的极紫外EUV光刻机使用的就是由Cymer公司研发的第三代光源，该光源有两大特点：第一，功率高，250W。
只有光源的功率足够高，在被十多个反射镜反射吸收之后，剩下的功率足够高才能够进行光刻。
另外光刻机光源的功率越高，芯片刻录速度也就越快。
第二，波长短，13.5纳米。
众所周知，光刻机的光源波长与最小制程工艺息息相关。
由于芯片的制程工艺和光刻机的曝光分辨率有着密切的关系，曝光分辨率越高，制程工艺也就越小，反之月越大。
而光刻机的曝光分辨率又和光源的波长息息相关，当然光源的波长越短，曝光分辨率也就越高。
光源波长越短，芯片制程工艺的纳米数就可以做到越小。
总而言之，极紫外EUV光刻机需要的光源，是波长短，功率大。
多片极其光滑的反射镜EUV光刻机与DUV光刻机的镜头组是不同的。
DUV光刻机用的是透镜组，而EUV光刻机用的是反射镜。
为了使光源被反射后，还具备较高的聚合性和较大的功率，对反射镜的粗糙度有较高的要求。
ASML的极紫外EUV光刻机，使用的是德国蔡司公司研制的反射镜。
这些反射镜的表面镀了近百层由钼和硅制成薄膜，而薄膜的粗糙度控制在0.05纳米，难度还是相当大的。
超高精度的双工件台过去的光刻机使用的是单工件台，一个工件台完成测量，刻录等所有工作。
那么，效率自然就很慢。
使用单工件台的光刻机，一个小时可以处理80片晶圆。
而双工件台，是将光刻前得准备工作，和光刻分隔开来。
即，一个工件台上的晶圆在做曝光时，另一个工件台对晶圆做测量等曝光前的准备工作。
当第一个工件台的曝光工作完成之后，两个工件台交换位置和职能 这样一来，就可以提高光刻机的生产速度，使用双工件台的光刻机，每小时可以处理200片晶圆。
相单工件台而言，那生产效率提高了3倍。
ASML的极紫外EUV光刻机所用的Twinscan双工件台，的运动精度误差控制在1.8纳米。
综合来看，光源，双工件台，反射镜是光刻机的三大部件，只要解决了这三大部件，剩下的控制台，掩膜台相对来说就比较容易了。
我国光刻机部件的进度我国目前最先进的光刻机，就是最小制程工艺为90纳米的步进投影式DUV光刻机。
距离ASML的极紫外EUV光刻机还有很远的距离。
光源国内研发光源的主要有科益虹源，哈工大，华中科技，上海光机所等。
目前来看，我国已经制造出来第三代光源→波长为248纳米，重复频率为4000hz，功率为40W的氟化氪（KrF）激光器。
当然了，这是在2020年完成的，至于今天达到了那个程度，还难以确定。
不过，国外类似的光源是在上世纪80年代研发出来，可想而知，这之间的差距有多大。
不过Krf光源只适合制程工艺在100纳米
想必还是研制出了波长为193纳米的第四代Arf光源。
当然了，国内有研发DUV光刻机的光源公司，也有研发EUV光刻机光源的企业。
像哈工大研发的第一代放电等离子光源。
综合来看，在光源上与国际领先水平仍然有较大得差距。
反射镜我国研究光刻机镜头的有国望光学，长春光机所。
国望光学已经研制出了，适合步进投影式DUV光刻机使用的透镜，否则国内90纳米制程工艺的光刻机的物镜系统从哪里来的呢。
只不过，在极紫外EUV光刻机使用的反射镜上，国内并没有研制出实物，也没有相关的报道出现。
只不过，据最新的资料显示，光点技术研究所，与中国科学院高能物理研究所合作，研发的200 毫米口径内平面镜的，加工粗糙度优于 0.3 纳米。
而在2021年，中科科仪所研发出了真空镀膜设备，该设备可以将膜厚的精度控制在0.1纳米以内，应该可以用于反射镜的镀膜。
综合来看，国内反射镜技术，与德国的蔡司公司，日本的JECT公司的反射镜差距依然挺大的。
双工件台我国研发双工件台的主要就是华卓精科，其已经交付客户的DWS系列双工件台，可以被用于Arf干式光刻机。
该双工件台采用了磁悬浮平面电机驱动，多轴激光干涉位移测量技术。
使得运动平均偏差为4.5纳米，运动标准偏差为7纳米，最大速度为1.1米/秒，最大加速速度为2.4g。
正在研发DWSI系列，同样采用了磁悬浮平面电机驱动，不过换成了平面光栅干涉位移测量技术。
使得运动平均偏差为2.5纳米，运动标准偏差为5纳米，最大速度为1.5米/秒，最大加速速度为3.2g。
即便是在研发中的双工件台，距离ASML极紫外EUV光刻机使用的双工件台也有差距。
目前来看，我国EUV光刻机的所需要的部件，都尚未达到满足使用的程度。
所以说，国产极紫外EUV光刻机还是需要时间来等待的。
就是等待各种部件达到商业化的程度，也只有各种部件都齐全了，国产极紫外EUV光刻机才可以顺利的下线 。
上文也说了，至于何时才能看到国产极紫外EUV光刻机，还很难说啊！
参考：
30年都不一定能研制出来，光刻机的
主要是专利问题，中国自主就需要走自主的道路，需要自己开辟一条路是非常费钱费人费力费时间的一条路。
但军事上的话，中国早有了，毕竟军事没有专利一说。
都是你抄我，我抄你。
相信国家和企业一定会在芯片上独立自主的。
[呲牙]
